離子注入硅的損傷分布半導體樣品在離子注入過程中引起輻照損傷，過去測定輻照損傷主要用背散射技術(shù)等，橢偏術(shù)也是一種近期發(fā)展起來檢測損傷的方法。過去，單波長橢偏術(shù)需要與剖層技術(shù)結(jié)合，才能定出損傷分布．近來我們采用橢偏光譜結(jié)合剖層技術(shù)，可更準確地定出As注入Si的損傷分布，并找出確定損傷分布的合適波長，不是常用的6328 ﹨dot{A}，而是3600—5000  。另一方面，我們探索了不用剖層技術(shù)，單用橢偏光譜技術(shù)無損傷地確定損傷分布，即從橢偏參數(shù)的光譜分布推斷出損傷(無序度)的空間分布。結(jié)果表明是成功的。

光譜反射儀測量的是垂直光，它忽略偏振效應(yīng) （絕大多數(shù)薄膜都是旋轉(zhuǎn)對稱）。 因為不涉及任何移動設(shè)備，光譜反射儀成為簡單低成本的儀器。光譜反射儀可以很容易整合加入更強大透光率分析。

可以看出, 光譜反射儀通常是薄膜厚度超過10um，而橢偏儀側(cè)重薄于10nm的膜厚。在10nm到10um厚度之間，兩種技術(shù)都可用。 而且具有快速，簡便，成本低特點的光譜反射儀通常是更好的選擇。