環(huán)境保護(hù)

（一）新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行《環(huán)境影響評(píng)價(jià)法》，依法向有審批權(quán)限的環(huán)境保護(hù)行政主管部門報(bào)批環(huán)境影響評(píng)價(jià)文件。按照環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”的要求，建設(shè)項(xiàng)目配套環(huán)境保護(hù)設(shè)施并依法申請(qǐng)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，驗(yàn)收合格后方可投入生產(chǎn)運(yùn)行。未通過(guò)環(huán)境評(píng)價(jià)審批的項(xiàng)目一律不準(zhǔn)開工建設(shè)?，F(xiàn)有企業(yè)應(yīng)依法定期實(shí)施清潔生產(chǎn)審核，并通過(guò)評(píng)估驗(yàn)收，兩次審核的時(shí)間間隔不得超過(guò)三年。

（二）廢氣

尾氣及NOx、HF酸霧排放部位均應(yīng)當(dāng)配備凈化裝置，采用溶液吸收法或其他方法對(duì)其凈化處理，廢氣排放達(dá)到《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB16297）和污染物排放總量控制要求。項(xiàng)目所在地有地方標(biāo)準(zhǔn)和要求的，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行地方標(biāo)準(zhǔn)和要求。

（三）廢水

按照法律、行政法規(guī)和國(guó)i務(wù)院環(huán)境保護(hù)主管部門的規(guī)定設(shè)置排污口。廢水排放應(yīng)符合國(guó)家相應(yīng)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)要求。凡是向已有地方排放標(biāo)準(zhǔn)的水體排放污染物的，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行地方標(biāo)準(zhǔn)。

1、發(fā)展壯大中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)條件已經(jīng)基本具備、時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟，國(guó)家相關(guān)部門加大對(duì)多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項(xiàng)目建設(shè)的支持力度，抓住有利時(shí)機(jī)發(fā)展壯大中國(guó)的多晶硅產(chǎn)業(yè)。

2、支持最i具條件的改良西門子法共性技術(shù)的實(shí)施，加快突破千噸級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動(dòng)控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國(guó)際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟(jì)的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國(guó)際上的競(jìng)爭(zhēng)力。

3、依托高校以及研究院所，加強(qiáng)新一代低成本工藝技術(shù)基礎(chǔ)性及前瞻性研究，建立低成本太陽(yáng)能及多晶硅研究開發(fā)的知識(shí)及技術(shù)創(chuàng)新體系，獲得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。

4、政府主管部門加強(qiáng)宏觀調(diào)控與行業(yè)管理，避免低水平項(xiàng)目的重復(fù)投資建設(shè)，保證產(chǎn)業(yè)的有序、可持續(xù)發(fā)展。

5、《多晶硅產(chǎn)能嚴(yán)重過(guò)剩 地方政府成主要推手》。2009年09月07日 07:07來(lái)源：中央電視臺(tái)《經(jīng)濟(jì)半小時(shí)》。

6、解決國(guó)內(nèi)光伏發(fā)電的政策、技術(shù)瓶頸，進(jìn)一步啟動(dòng)國(guó)內(nèi)光伏終端市場(chǎng)、開發(fā)新興市場(chǎng)(例如讓光伏發(fā)電象家電下鄉(xiāng)一樣走進(jìn)家庭、走進(jìn)平民生活，通過(guò)援外的方法開發(fā)非洲太陽(yáng)能市場(chǎng))。

7、通過(guò)科技創(chuàng)新提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，提高質(zhì)量、減低消耗，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局、危機(jī)期間推進(jìn)重組、淘汰落后產(chǎn)能、提高集中度。行業(yè)內(nèi)重點(diǎn)扶持5~6家大而強(qiáng)的多晶硅企業(yè)。

多晶硅的定向生長(zhǎng)方法

[簡(jiǎn)介]： 一種定向凝固去除多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法，包括如下步驟：（1）原料硅在石墨坩堝中熔化，將硅液倒入定向凝固裝置中，蓋上保溫板，并保持上部溫度在1450～1500&#176C；（2）硅液的表面上放置石墨板，石墨板與外界直流電壓的負(fù)極相接，定...

一種定向凝固去除多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法以及裝置

[簡(jiǎn)介]： 一種定向凝固多晶硅錠的方法，包括加熱熔化、凝固長(zhǎng)晶、冷卻，其特征是在冷卻階段保持多晶硅錠底部散熱通道繼續(xù)開啟，使多晶硅錠底部溫度循之前趨勢(shì)繼續(xù)緩慢下降；與此同時(shí)逐漸減小爐子加熱功率，使多晶硅錠溫度持續(xù)下降，直至...