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回收指紋芯片、指紋模組
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隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。 回收MARVELL集成電路芯片回收RENESASBGA芯片回收億盟微路由器交換器芯片回收maxim開關(guān)電源IC 回收英飛凌DOP封裝芯片回收中芯封裝QFP芯片回收中芯穩(wěn)壓器IC 回收beiling藍(lán)牙IC 回收TAIYO/太誘升壓IC 回收semtech封裝QFP144芯片回收松下封裝QFN進(jìn)口芯片回收INFINEONDOP封裝芯片回收瑞昱藍(lán)牙IC 回收Marvell路由器交換器芯片回收INFINEON傳感器芯片回收LINEAR電源監(jiān)控IC 回收Marvell穩(wěn)壓器IC 回收NS進(jìn)口新年份芯片回收SGMICRO圣邦微aurix芯片回收maxim觸摸傳感器芯片回收東芝汽車主控芯片回收GENESIS起源微封裝TO-220三極管回收英飛凌進(jìn)口新年份芯片回收亞德諾封裝QFP144芯片回收愛特梅爾aurix芯片回收IR音頻IC
