搜產品
搜企業(yè)
客服電話:13631151688
廣告
25小時在線 158-8973同步7035 可微可電
東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個生產閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結合eprom和eeprom兩項技術，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結構大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
根據產業(yè)鏈的消息，臺積電也在研發(fā)3nm工藝，的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術，號稱與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。從紙面參數來看，三星這一次似乎有望實現反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況，臺積電則基本確認，客戶會包括蘋果、amd、nvidia、聯發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似intel也有意尋求臺積電的工藝代工。臺積電預計將在2nm芯片上應用gaafet技術，要等待三年左右才能面世。 XTR115UA XTR116UA ISO124U OPA322AIDBVR TCA9555RTWR TRS3253EIRSMR INA240A1PWR INA240A2PWR ADS1112IDGSR ADS7953SRHBR DAC7611U TS3A27518ERTWR INA282AIDR DRV8832DGQR TL4242DRJR UC3710T UCC27712DR UCC27524ADR TRF7962ARHBR TRF7970ARHBR TRF7964ARHBR TPS54478RTER TPS74901RGWR OPA4197IDR INA821IDR