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半導體激光器是以直接帶隙半導體材料構(gòu)成的Pn結(jié)或Pin結(jié)為工作物質(zhì)的一種小型化激光器.半導體激光工作物質(zhì)有幾十種，目前已制成激光器的半導體材料有砷化稼(GaAs )、砷化錮(InAs)、銻化錮( InSb)、硫化鍋( cds )、蹄化福(CdTe )、硒化鉛(PbSe)、啼化鉛(PhTe )、鋁稼砷(A1xGa,-,As)、錮磷砷(In-PxAS, _, )等.
半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注人式、光泵式和高能電子束激勵式.
絕大多數(shù)半導體激光器的激勵方式是電注人，即給Pn結(jié)加正向電壓，以使在結(jié)平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射，也就是說是個正向偏置的二極管，因此半導體激光器又稱為半導體激光二極管.對半導體來說，由于電子是在各能帶之間進行躍遷，而不是在分立的能級之間躍遷，所以躍遷能量不是個確定值，這使得半導體激光器的輸出波長展布在一個很寬的范圍上.它們所發(fā)出的波長在。.3 -34pm之間.其波長范圍決定于所用材料的能帶間隙，最常見的是AlGaA:雙異質(zhì)結(jié)激光器，其輸出波長為750 - 890nm.
