PTFE四氟蝕刻臺可定制低本底耐強腐耐高低溫

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PTFE蝕刻臺是半導體、光伏行業(yè)開放式濕法蝕刻專屬臺面工裝，主要搭配噴淋蝕刻槽、溢流蝕刻槽配套使用，替代PP、PVDF、環(huán)氧樹脂臺面。解決常規(guī)臺面耐氫氟酸能力差、長期噴淋起粉開裂、表面結晶難清理、析出雜質污染晶圓的痛點，和PTFE硅片架、硅片盒、清洗罐形成完整濕法配套耗材，廣泛用于裸硅片、圖形化晶圓、外延片的氧化層蝕刻、邊緣去邊、薄膜刻蝕工序，適配百級無塵車間全流程蝕刻作業(yè)。

用于晶圓表面薄膜均勻噴淋蝕刻作業(yè)。半導體晶圓表面二氧化硅、氮化硅薄膜，需通過BOE緩沖氫氟酸進行開放式噴淋蝕刻，常規(guī)樹脂臺面接觸氟系蝕刻液3個月內就會粉化脫落，塑膠臺面會被藥液溶脹，脫落微粒附著晶圓表面造成微短路。PTFE蝕刻臺化學惰性極強，不與所有主流蝕刻藥液反應，臺面疏水不掛液，蝕刻廢液可順著導流槽快速排出，避免藥液回流二次腐蝕晶圓，保障整片晶圓蝕刻速率均勻，消除局部蝕刻不良。

適配硅片邊緣去邊與背面除膠蝕刻工序。光伏硅片鍍膜后邊緣多余鍍層需要定點蝕刻去除，作業(yè)時硅片架直接放置在蝕刻臺面上，臺面防滑磨砂紋理可避免支架滑移傾倒，防止硅片大面積崩邊。臺面整體無拼接縫隙，杜絕蝕刻殘渣、硅粉卡在縫隙滋生結晶，避免結晶凸起劃傷晶圓背面鍍膜層，相比拼接臺面，大幅降低晶圓報廢率，適配產線24小時連續(xù)噴淋作業(yè)。

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