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MOS管電性能測(cè)試IV曲線掃描
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MOS管電性能測(cè)試IV曲線掃描

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武漢普賽斯儀表有限公司

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MOS管電性能測(cè)試IV曲線掃描認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表, 詳詢一八一四零六六三四七六,普賽斯數(shù)字源表J確提供和測(cè)量電壓和/或電流,廣泛應(yīng)用于各種電器特性參數(shù)測(cè)試中,如IV掃描;當(dāng)電源時(shí)可作為可編程電壓源或可編程電流源;當(dāng)萬用表時(shí)可作為數(shù)字電壓表(電流源,輸出電流為0,測(cè)電壓)或數(shù)字電流表(電壓源,輸出電壓為0,測(cè)電流)或數(shù)字歐姆表(電流源,輸出電流為一定值,測(cè)電壓);當(dāng)電子負(fù)載時(shí)可作為可編程恒壓負(fù)載或可編程恒流負(fù)載;當(dāng)電源/測(cè)量表組合(SMU)時(shí)給電壓測(cè)量電流或給電流測(cè)量電壓;
源表突出特點(diǎn):使用一臺(tái)儀器進(jìn)行多種測(cè)量;

數(shù)字源表功能:
①集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身,廣泛用于各類精密器件的測(cè)量。
②四象限工作,可作為源或負(fù)載

普賽斯S型數(shù)字源表應(yīng)用:分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試,電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等;能量與效率特性測(cè)試,LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等;傳感器特性測(cè)試,電阻率、霍爾效應(yīng)等;有機(jī)材料特性測(cè)試,電子墨水、印刷電子技術(shù)等;納米材料特性測(cè)試,石墨烯、納米線等;
普賽斯源表應(yīng)用方案:二極管IV測(cè)試、激光二極管LIV測(cè)試、三極管MOS管IV測(cè)試、APD管IV測(cè)試、太陽能電池板特性參數(shù)測(cè)試、電池充放電特性參數(shù)測(cè)試、電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試;
額外功能(軟件實(shí)現(xiàn)的):二極管IV掃描及參數(shù)分析、三極管IV掃描及參數(shù)分析、LIV測(cè)試系統(tǒng)、太陽能電池放電測(cè)試系統(tǒng)、電池充放電循環(huán)系統(tǒng)等;

S型數(shù)字源表特點(diǎn)
5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶完成測(cè)試,如LIV、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%,分辨率5數(shù)位
四象限工作(源和肼),源及測(cè)量范圍:高至300V,低至10pA
豐富的掃描模式,支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

S型數(shù)字源表技術(shù)參數(shù)
Z大輸出功率:30W,4象限源或肼模式;
源限度:電壓源:±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);
電流源:±1.05A(≤30V量程),±105mA(≤300V量程);
過量程: 105%量程,源和測(cè)量;
穩(wěn)定負(fù)載電容:<22nF;
寬帶噪聲(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值);
線纜保護(hù)電壓:輸出阻抗1KΩ,輸出電壓偏移<80uV;
Z大采樣速率:1000S/s;
觸發(fā):支持IO觸發(fā)輸入及輸出,觸發(fā)極性可配置;
輸出接口:前后面板香蕉頭插座輸出,同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口;
通信口:RS-232、GPIB、以太網(wǎng);
電源:AC100~240V 50/60Hz;
工作環(huán)境:25±10℃;
尺寸:106mm高 × 255mm寬 × 425mm長;


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鄭重聲明:產(chǎn)品 【MOS管電性能測(cè)試IV曲線掃描】由 武漢普賽斯儀表有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫m.qnon.net)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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