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PVD的全寫為Physical Vapor Deposition,中文翻譯為物lq相沉積。
采用陰極電弧等離子體沉積技術(shù)。陰極電弧等離子體沉積是相對較新的薄膜沉積技術(shù)，它在許多方面類似于離子鍍技術(shù)。其優(yōu)點(diǎn)：在發(fā)射的粒子流中離化率高，而且這些離化的離子具有較高的動能（40-100eV)。許多離子束沉積的優(yōu)點(diǎn)，如提粘著力，增加態(tài)密度、對化合物膜形成具有高反應(yīng)率等優(yōu)點(diǎn)在陰極電弧等離子體沉積中均有所體現(xiàn)。而陰極電弧等離子體沉積又具有自己一些獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，如可在較多復(fù)雜形狀基片上進(jìn)行沉積，沉積率高，涂層均勻性好，基片溫度低，易于制備理想化學(xué)配比的化合物或合金。
通過蒸發(fā)過程將陰極材料蒸發(fā)是源于高電流密度，所得到的蒸發(fā)物由電子、離子、中心氣相原子和微粒組成。在陰極電弧點(diǎn)，材料幾乎百分百被離化，這里離子在幾乎垂直于陰極表面的方向發(fā)射出去，當(dāng)帶有高能量的鉻離子碰到氮?dú)夂蟊銜R上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，變成氣態(tài)的氮化鉻分子了。
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