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Lyontek存儲器 內(nèi)存芯片 LY62W51316
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。
主要有：
1. 存儲容量： 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N
2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）
5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗
深圳英尚微電子有限公司
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